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    原子层沉积（Atomic Layer Deposition： ALD）实验室以先进的薄膜沉积技术——原子层沉积技术为支撑，致力于打造国际领先、国内一流的ALD装备、工艺、应用之产、学、研基地；主要研究方向将涵盖ALD设备的研发、ALD工艺制程的开发、ALD技术总体解决方案研究。

一、ALD基本原理与优势：

      通过将气相前驱体交替脉冲通入反应室并在沉积基体表面发生气固相化学吸附反应形成薄膜。如ALD过程包含右图所示四个基本步骤：a）基底暴露于前驱体1并化学吸附；b）惰性载气清扫；c）基底暴露于前驱体2并与前驱体1分子反应；b）惰性载气清扫。ALD具有三维保型包覆的优点。

二、ALD技术应用前景

      半导体晶原制造：如金属栅电极(Ru，Pt，TiN)等，高-K介电层(Ta2O5、HfO2，Al2O3)等；微电子机械系统 (MEMS)；光电子器件镀膜：太阳能电池(薄膜太阳能电池缓冲层，Si电池Al2O3表面钝化层)；储能电池; OLED薄膜封装；防腐涂层；防晦暗涂层；以及其他各类特殊结构纳米薄膜，如内部微孔结构涂层、纳米粘合、生物医用材料表面处理、纳米颗粒包裹，光学镀膜等。

三、实验室设备：

1、  多功能研究型ALD设备

型号：NCE-200R

生产厂家：东莞纳锋微电子装备有限公司

设备特点：沉积速度快，单循环时间最短至２秒，是同行业产品的1/10至1/4，同时薄膜具有高度均匀性及厚度精确可控性；压力调节停流沉积模式，该模式ALD可以实现对微孔内壁、超高深宽比结构等复杂异型3D结构的三维保形纳米包覆；前驱体脉冲精确控制，具备“1 毫秒” 前驱体脉冲精确分辨控制的能力；独立前驱体管路设计，最多可达8路，设备高度集成；冷热双重吸附阱保护设备系统，延长设备维护周期。

2、  多功能纳米薄膜沉积系统

生产厂家：自主研发

功能特点：集高温ALD、脉冲式CVD 及粉体ALD镀膜功能于一体的新型纳米薄膜制备系统原型机，可沉积硫化钼、硫化钨等材料、同时可实现百克量级粉体材料ALD包覆。

专利成果：

一种纳米薄膜制备设备，实用新型，ZL 202122640181.2（已授权）

一种纳米薄膜制备方法及其设备，发明专利，202111277372.5（已授权）